JAN1N6622U
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| 부품 번호 | JAN1N6622U |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | JAN1N6622U | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5900 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.2A | 전압 - 파괴 | D-5A |
| 연속 | Military, MIL-PRF-19500/585 | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | SQ-MELF, A | 다른 이름들 | 1086-19960 1086-19960-MIL |
| 작동 온도 - 정션 | 30ns | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | JAN1N6622U |
| 확장 설명 | Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount D-5A | 다이오드 구성 | 500nA @ 600V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.4V @ 1.2A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 600V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 150°C |
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