1N485BUR
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| 부품 번호 | 1N485BUR |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 192 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.775 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 1N485BUR | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 20479 pcs | 데이터 시트 | 1M485BUR |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 100mA (DC) | 전압 - 파괴 | - |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | DO-213AA | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | 1N485BUR |
| 확장 설명 | Diode Standard 180V 100mA (DC) Surface Mount | 다이오드 구성 | 25nA @ 180V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213 | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1V @ 100mA |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 180V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
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