1N484B
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| 부품 번호 | 1N484B |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 241 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.569 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 1N484B | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 19171 pcs | 데이터 시트 | 1N482B-1N486B |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 200mA | 전압 - 파괴 | DO-35 |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | DO-204AH, DO-35, Axial | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | 1N484B |
| 확장 설명 | Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35 | 다이오드 구성 | 25nA @ 125V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1V @ 100mA |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 125V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 200°C |
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