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MT41K512M8RH-125 M:E

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부품 번호 MT41K512M8RH-125 M:E
제조사 Micron Technology
기술 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 6943 pcs
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부품 번호 MT41K512M8RH-125 M:E 제조사 Micron Technology
기술 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 6943 pcs 데이터 시트 MT41K1G4,MT41K512M8,MT41K256M16 1.35V DDR3L SDRAM
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 1.283 V ~ 1.45 V 과학 기술 SDRAM - DDR3L
제조업체 장치 패키지 78-FBGA (9x10.5) 연속 -
포장 Tray 패키지 / 케이스 78-TFBGA
다른 이름들 MT41K512M8RH-125 M:E-ND
MT41K512M8RH-125M:E
작동 온도 0°C ~ 95°C (TC)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
메모리 유형 Volatile 메모리 크기 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스 Parallel 메모리 형식 DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
클럭 주파수 800MHz 기본 부품 번호 MT41K512M8
액세스 시간 13.75ns

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