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MT41K512M8V00HWC1-N001

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부품 번호 MT41K512M8V00HWC1-N001
제조사 Micron Technology
기술 IC DRAM 4G PARALLEL
무연 여부 / RoHS 준수 여부
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부품 번호 MT41K512M8V00HWC1-N001 제조사 Micron Technology
기술 IC DRAM 4G PARALLEL 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 7970 pcs 데이터 시트
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 1.283 V ~ 1.45 V 과학 기술 SDRAM - DDR3L
연속 - 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC)
메모리 유형 Volatile 메모리 크기 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스 Parallel 메모리 형식 DRAM
무연 상태 Lead free 상세 설명 SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

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