SUD35N10-26P-T4GE3
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| 부품 번호 | SUD35N10-26P-T4GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.383 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SUD35N10-26P-T4GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 77833 pcs | 데이터 시트 | SUD35N10-26P |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252, (D-Pak) | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 26 mOhm @ 12A, 10V | 전력 소비 (최대) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2000pF @ 12V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 47nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
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