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SUD35N10-26P-E3

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부품 번호 SUD35N10-26P-E3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 100V 35A TO252
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 76666 pcs
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부품 번호 SUD35N10-26P-E3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 100V 35A TO252 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 76666 pcs 데이터 시트 SUD35N10-26P
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.4V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-252 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 26 mOhm @ 12A, 10V 전력 소비 (최대) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 SUD35N10-26P-E3DKR 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 33 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 12V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 47nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 7V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V
상세 설명 N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A (Tc)

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