SQJ941EP-T1-GE3
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| 부품 번호 | SQJ941EP-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SQJ941EP-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5400 pcs | 데이터 시트 | SQJ941EP |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 24 mOhm @ 9A, 10V | 전력 - 최대 | 55W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1800pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A |
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