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SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3
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부품 번호 SQJ940EP-T1_GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 95809 pcs
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부품 번호 SQJ940EP-T1_GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 95809 pcs 데이터 시트 SQJ940EP-T1-GE3
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric 연속 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 16 mOhm @ 15A, 10V 전력 - 최대 48W, 43W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual
다른 이름들 SQJ940EP-T1-GE3
SQJ940EP-T1-GE3-ND
SQJ940EP-T1_GE3-ND
SQJ940EP-T1_GE3TR
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 896pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 20V FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 Logic Level Gate 소스 전압에 드레인 (Vdss) 40V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta), 18A (Tc)

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