SI5913DC-T1-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETY이미지는 참조 용입니다.
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 SI5913DC-T1-GE3 구입
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 SI5913DC-T1-GE3 구입
조회를 요청하다
| 부품 번호 | SI5913DC-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.275 | $0.231 | $0.173 | $0.127 | ||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI5913DC-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 189769 pcs | 데이터 시트 | SI5913DC |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±12V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | 연속 | LITTLE FOOT® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 84 mOhm @ 3.7A, 10V | 전력 소비 (최대) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 다른 이름들 | SI5913DC-T1-GE3CT | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 330pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 10V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |
- 관련 상품
- 관련 뉴스
관련 상품
- 부품#:
SI5908DC-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 - 재고:
100796
- 부품#:
SI5908DC-T1-E3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 - 재고:
96209
- 부품#:
SI5922DU-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK - 재고:
313020