SI5913DC-T1-E3
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| 부품 번호 | SI5913DC-T1-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI5913DC-T1-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4840 pcs | 데이터 시트 | SI5913DC |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±12V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | 연속 | LITTLE FOOT® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 84 mOhm @ 3.7A, 10V | 전력 소비 (최대) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 330pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |
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