SI5517DU-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI5517DU-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.508 | $0.45 | $0.356 | $0.276 | $0.218 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI5517DU-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 90146 pcs | 데이터 시트 | SI5517DU |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet Dual | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V | 전력 - 최대 | 8.3W |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 다른 이름들 | SI5517DU-T1-GE3CT | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 520pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| FET 유형 | N and P-Channel | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A | 기본 부품 번호 | SI5517 |
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