SI5515CDC-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI5515CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.124 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI5515CDC-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 172222 pcs | 데이터 시트 | SI5515CDC |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 800mV @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 36 mOhm @ 6A, 4.5V | 전력 - 최대 | 3.1W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 다른 이름들 | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 632pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11.3nC @ 5V | FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A |
| 기본 부품 번호 | SI5515 |
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