SI3900DV-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI3900DV-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.165 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI3900DV-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 136419 pcs | 데이터 시트 | SI3900DV |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V | 전력 - 최대 | 830mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 다른 이름들 | SI3900DV-T1-GE3TR SI3900DVT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A | 기본 부품 번호 | SI3900 |
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