SI3867DV-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI3867DV-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI3867DV-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 6006 pcs | 데이터 시트 | SI3867DV |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±12V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 1.1W (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.9A (Ta) |
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