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DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3
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부품 번호 DMJ70H1D3SI3
제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 준수
In Stock 121310 pcs
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부품 번호 DMJ70H1D3SI3 제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 121310 pcs 데이터 시트 DMJ70H1D3SI3
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-251 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V 전력 소비 (최대) 41W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak
다른 이름들 DMJ70H1D3SI3-ND
DMJ70H1D3SI3DI
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 7 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 351pF @ 50V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 13.9nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 700V
상세 설명 N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A (Tc)

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