NTLJF4156NT1G

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부품 번호	NTLJF4156NT1G
제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 308475 pcs
참조 가격 (US 달러)	3000 pcs
참조 가격 (US 달러)	$0.066

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	NTLJF4156NT1G	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	308475 pcs	데이터 시트	NTLJF4156N
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	1V @ 250µA
Vgs (최대)	±8V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	6-WDFN (2x2)	연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	70 mOhm @ 2A, 4.5V	전력 소비 (최대)	710mW (Ta)
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	6-WDFN Exposed Pad
다른 이름들	NTLJF4156NT1G-ND NTLJF4156NT1GOSTR	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	7 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	427pF @ 15V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	Schottky Diode (Isolated)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.5V, 4.5V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	30V
상세 설명	N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	2.5A (Tj)

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