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AS4C8M16D1A-5TIN

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부품 번호 AS4C8M16D1A-5TIN
제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 43144 pcs
참조 가격
(US 달러)
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$1.09$0.979$0.964$0.961$0.859
324 pcs540 pcs1080 pcs5076 pcs 
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부품 번호 AS4C8M16D1A-5TIN 제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 43144 pcs 데이터 시트 AS4C8M16D1A
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
전압 - 공급 2.3 V ~ 2.7 V 과학 기술 SDRAM - DDR
제조업체 장치 패키지 66-TSOP II 연속 -
포장 Tray 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
다른 이름들 1450-1296 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
메모리 유형 Volatile 메모리 크기 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스 Parallel 메모리 형식 DRAM
제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II 클럭 주파수 200MHz
액세스 시간 700ps

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