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부품 번호 AS4C8M16D1-5BINTR
제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
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부품 번호 AS4C8M16D1-5BINTR 제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 47140 pcs 데이터 시트 AS4C8M16D1
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
전압 - 공급 2.3 V ~ 2.7 V 과학 기술 SDRAM - DDR
제조업체 장치 패키지 60-TFBGA (8x13) 연속 -
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 60-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 실장 형 Surface Mount
메모리 유형 Volatile 메모리 크기 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스 Parallel 메모리 형식 DRAM
제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks 상세 설명 SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
클럭 주파수 200MHz 액세스 시간 700ps

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