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NXH80B120H2Q0SG

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부품 번호 NXH80B120H2Q0SG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1141 pcs
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부품 번호 NXH80B120H2Q0SG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 PIM 1200V, 40A DUAL BOOST 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1141 pcs 데이터 시트 NXH80B120H2Q0SG
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.5V @ 15V, 40A 제조업체 장치 패키지 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
연속 - 전력 - 최대 103W
패키지 / 케이스 Module 다른 이름들 NXH80B120H2Q0SG-ND
NXH80B120H2Q0SGOS
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) NTC 써미스터 Yes
실장 형 Chassis Mount 수분 민감도 (MSL) Not Applicable
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 9.7nF @ 25V
입력 Standard IGBT 유형 -
상세 설명 IGBT Module Dual Boost Chopper 1200V 41A 103W Chassis Mount 20-PIM/Q0PACK (55x32.5) 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 200µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 41A 구성 Dual Boost Chopper

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