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NXH80T120L2Q0S2G

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부품 번호 NXH80T120L2Q0S2G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1532 pcs
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부품 번호 NXH80T120L2Q0S2G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1532 pcs 데이터 시트 NXH80T120L2Q0S1G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.85V @ 15V, 80A 제조업체 장치 패키지 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
연속 - 전력 - 최대 125W
패키지 / 케이스 Module 다른 이름들 NXH80T120L2Q0S1G
NXH80T120L2Q0S1G-ND
NXH80T120L2Q0S1GOS
NXH80T120L2Q0S1GOS-ND
NXH80T120L2Q0S2G-ND
NXH80T120L2Q0S2GOS
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) NTC 써미스터 Yes
실장 형 Chassis Mount 수분 민감도 (MSL) Not Applicable
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 19.4nF @ 25V
입력 Standard IGBT 유형 Trench Field Stop
상세 설명 IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200V 57A 125W Chassis Mount 18-PIM/Q0PACK (55x32.5) 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 300µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 57A 구성 Three Level Inverter

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