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NSS40200UW6T1G

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부품 번호 NSS40200UW6T1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 157980 pcs
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부품 번호 NSS40200UW6T1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 157980 pcs 데이터 시트 NSS40200UW6T1G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 40V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 20mA, 2A 트랜지스터 유형 PNP
제조업체 장치 패키지 6-WDFN (2x2) 연속 -
전력 - 최대 875mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 다른 이름들 NSS40200UW6T1G-ND
NSS40200UW6T1GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 140MHz 상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 2A 140MHz 875mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 150 @ 1A, 2V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 2A 기본 부품 번호 NSS40200

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