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NSS35200MR6T1G

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부품 번호 NSS35200MR6T1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 345926 pcs
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부품 번호 NSS35200MR6T1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PNP 35V 2A TSOP-6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 345926 pcs 데이터 시트 NSS35200MR6T1G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 35V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 310mV @ 20mA, 2A 트랜지스터 유형 PNP
제조업체 장치 패키지 6-TSOP 연속 -
전력 - 최대 625mW 포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 SOT-23-6 다른 이름들 NSS35200MR6T1GOSCT
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 2 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 100MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 100 @ 1.5A, 1.5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 2A
기본 부품 번호 NSS35200

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