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부품 번호 NGTB20N60L2TF1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 20A TO3PF
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 41025 pcs
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부품 번호 NGTB20N60L2TF1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 20A TO3PF 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 41025 pcs 데이터 시트 NGTB20N60L2TF1G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.65V @ 15V, 20A 시험 조건 300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 60ns/193ns 에너지 전환 -
제조업체 장치 패키지 TO-3PF-3 연속 -
역 회복 시간 (trr) 70ns 전력 - 최대 64W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-3PFM, SC-93-3
작동 온도 175°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 27 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 게이트 충전 84nC
상세 설명 IGBT 600V 40A 64W Through Hole TO-3PF-3 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 80A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 40A

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