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HGTP7N60A4-F102

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부품 번호 HGTP7N60A4-F102
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 52587 pcs
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부품 번호 HGTP7N60A4-F102 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 52587 pcs 데이터 시트 HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.7V @ 15V, 7A 시험 조건 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 11ns/100ns 에너지 전환 55µJ (on), 150µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-220-3 연속 -
전력 - 최대 125W 패키지 / 케이스 TO-220-3
다른 이름들 HGTP7N60A4_F102
HGTP7N60A4_F102-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 게이트 충전 60nC
상세 설명 IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-220-3 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 56A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 34A

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