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HGTP12N60C3

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부품 번호 HGTP12N60C3
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 24A 104W TO220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4279 pcs
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부품 번호 HGTP12N60C3 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 24A 104W TO220AB 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4279 pcs 데이터 시트 TO220B03 Pkg DrawingHGTP12N60C3
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 12A 시험 조건 -
Td (온 / 오프) @ 25 ° C - 에너지 전환 380µJ (on), 900µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-220AB 연속 -
전력 - 최대 104W 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-220-3 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 게이트 충전 48nC
상세 설명 IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 96A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 24A 기본 부품 번호 HGTP12N60

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