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부품 번호 W988D2FBJX7E TR
제조사 Winbond Electronics Corporation
기술 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 30093 pcs
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부품 번호 W988D2FBJX7E TR 제조사 Winbond Electronics Corporation
기술 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 30093 pcs 데이터 시트 W988D6FB,2FB
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
전압 - 공급 1.7 V ~ 1.95 V 과학 기술 SDRAM - Mobile LPSDR
제조업체 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) 연속 -
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 90-TFBGA
다른 이름들 W988D2FBJX7E TR-ND
W988D2FBJX7ETR
작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
메모리 유형 Volatile 메모리 크기 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스 Parallel 메모리 형식 DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
클럭 주파수 133MHz 액세스 시간 5.4ns

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