W987D2HBJX6E TR
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| 부품 번호 | W987D2HBJX6E TR |
|---|---|
| 제조사 | Winbond Electronics Corporation |
| 기술 | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.888 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | W987D2HBJX6E TR | 제조사 | Winbond Electronics Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 39391 pcs | 데이터 시트 | W987D6HB/2HB |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.95 V | 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPSDR |
| 제조업체 장치 패키지 | 90-VFBGA (8x13) | 연속 | - |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 90-TFBGA |
| 다른 이름들 | W987D2HBJX6E TR-ND W987D2HBJX6ETR |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 128Mb (4M x 32) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| 클럭 주파수 | 166MHz | 액세스 시간 | 5.4ns |
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