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BYV10EX-600PQ

BYV10EX-600PQ
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부품 번호 BYV10EX-600PQ
제조사 WeEn Semiconductors
기술 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 151484 pcs
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부품 번호 BYV10EX-600PQ 제조사 WeEn Semiconductors
기술 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 151484 pcs 데이터 시트 BYV10EX-600P
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 10A 전압 - 파괴 TO-220F
연속 - RoHS 상태 Tube
역 회복 시간 (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) 만약, F @ 저항 -
편광 TO-220-2 Full Pack 다른 이름들 1740-1257
568-11677
568-11677-ND
934068914127
작동 온도 - 정션 50ns 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks
제조업체 부품 번호 BYV10EX-600PQ 확장 설명 Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220F
다이오드 구성 10µA @ 600V 기술 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
전류 - 누설 Vr에서 역방향 2V @ 10A 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 600V
VR, F @ 용량 -65°C ~ 175°C

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