SUP85N10-10-E3
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| 부품 번호 | SUP85N10-10-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SUP85N10-10-E3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4802 pcs | 데이터 시트 | SUP/SUB85N10-10Packaging Information |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 6550pF @ 25V |
| 전압 - 파괴 | TO-220AB | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (최대) | 4.5V, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | TrenchFET® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 85A (Tc) | 편광 | TO-220-3 |
| 다른 이름들 | SUP85N10-10-E3TR | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | SUP85N10-10-E3 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 160nC @ 10V |
| IGBT 유형 | ±20V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3V @ 250µA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100V | 용량 비율 | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
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