SQJ431EP-T1_GE3
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| 부품 번호 | SQJ431EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | 6000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.294 | $0.284 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SQJ431EP-T1_GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CHAN 200V SO8L | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 72756 pcs | 데이터 시트 | SQJ431EP |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 4355pF @ 25V |
| 전압 - 파괴 | PowerPAK® SO-8 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (최대) | 6V, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12A (Tc) | 편광 | PowerPAK® SO-8 |
| 다른 이름들 | SQJ431EP-T1_GE3TR | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks | 제조업체 부품 번호 | SQJ431EP-T1_GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 160nC @ 10V | IGBT 유형 | ±20V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5V @ 250µA | FET 특징 | P-Channel |
| 확장 설명 | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET P-CHAN 200V SO8L | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200V |
| 용량 비율 | 83W (Tc) |
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