SQ4917EY-T1_GE3
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| 부품 번호 | SQ4917EY-T1_GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.27 | $0.26 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SQ4917EY-T1_GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 81754 pcs | 데이터 시트 | SQ4917EY |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 1910pF @ 30V |
| 전압 - 파괴 | 8-SO | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8A (Tc) | 전력 - 최대 | 5W (Tc) |
| 편광 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TA) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | SQ4917EY-T1_GE3 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 65nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | FET 특징 | 2 P-Channel (Dual) |
| 확장 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Standard |
| 기술 | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60V |
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