SIHD6N62E-GE3
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| 부품 번호 | SIHD6N62E-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 620V 6A TO-252 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.241 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIHD6N62E-GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 620V 6A TO-252 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 86474 pcs | 데이터 시트 | SIHD6N62E-GE3 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 578pF @ 100V |
| 전압 - 파괴 | D-PAK (TO-252AA) | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 900 mOhm @ 3A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6A (Tc) |
| 편광 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 19 Weeks | 제조업체 부품 번호 | SIHD6N62E-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 34nC @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 620V 6A TO-252 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 620V | 용량 비율 | 78W (Tc) |
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- 부품#:
DP11SHN20A30P - 제조업체:
Agastat Relays / TE Connectivity - 기술:
DP11S HOR 20P NDET 30P M7*5MM - 재고:
39185