SIE810DF-T1-E3
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| 부품 번호 | SIE810DF-T1-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.606 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIE810DF-T1-E3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 57838 pcs | 데이터 시트 | SIE810DF |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 13000pF @ 10V |
| 전압 - 파괴 | 10-PolarPAK® (L) | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | TrenchFET® |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 60A (Tc) |
| 편광 | 10-PolarPAK® (L) | 다른 이름들 | SIE810DF-T1-E3TR SIE810DFT1E3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 24 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | SIE810DF-T1-E3 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2V @ 250µA | FET 특징 | N-Channel |
| 확장 설명 | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20V |
| 용량 비율 | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
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