SIA421DJ-T1-GE3
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| 부품 번호 | SIA421DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | 6000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.153 | $0.145 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIA421DJ-T1-GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 146181 pcs | 데이터 시트 | SIA421DJ |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 950pF @ 15V |
| 전압 - 파괴 | PowerPAK® SC-70-6 Single | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (최대) | 4.5V, 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | TrenchFET® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12A (Tc) | 편광 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 다른 이름들 | SIA421DJ-T1-GE3TR SIA421DJT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 24 Weeks | 제조업체 부품 번호 | SIA421DJ-T1-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 29nC @ 10V | IGBT 유형 | ±20V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3V @ 250µA | FET 특징 | P-Channel |
| 확장 설명 | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30V |
| 용량 비율 | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
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