SI4634DY-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI4634DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.273 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI4634DY-T1-GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 72660 pcs | 데이터 시트 | SI4634DY |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 3150pF @ 15V |
| 전압 - 파괴 | 8-SO | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.2 mOhm @ 15A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | TrenchFET® |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 24.5A (Tc) |
| 편광 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 15 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | SI4634DY-T1-GE3 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 68nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.6V @ 250µA | FET 특징 | N-Channel |
| 확장 설명 | N-Channel 30V 24.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30V |
| 용량 비율 | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
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