SI4288DY-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI4288DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.21 | $0.20 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI4288DY-T1-GE3 | 제조사 | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 119592 pcs | 데이터 시트 | SI4288DY |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 580pF @ 20V |
| 전압 - 파괴 | 8-SO | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| 연속 | TrenchFET® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.2A | 전력 - 최대 | 3.1W |
| 편광 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | SI4288DY-T1-GE3TR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 24 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | SI4288DY-T1-GE3 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | FET 특징 | 2 N-Channel (Dual) |
| 확장 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Logic Level Gate |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40V |
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