VS-2EFH01HM3/I
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| 부품 번호 | VS-2EFH01HM3/I |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 기술 | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 10000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.035 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | VS-2EFH01HM3/I | 제조사 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 633157 pcs | 데이터 시트 | VS-2EFH01HM3 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 2A | 전압 - 파괴 | DO-219AB (SMF) |
| 연속 | - | RoHS 상태 | - |
| 역 회복 시간 (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | DO-219AB | 작동 온도 - 정션 | 16ns |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 11 Weeks | 제조업체 부품 번호 | VS-2EFH01HM3/I |
| 확장 설명 | Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF) | 다이오드 구성 | 2µA @ 100V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 950mV @ 2A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 100V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
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