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US1A-E3/5AT

US1A-E3/5AT
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부품 번호 US1A-E3/5AT
제조사 Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 646402 pcs
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부품 번호 US1A-E3/5AT 제조사 Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 646402 pcs 데이터 시트 Packaging InformationUS1A-1M
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 1A 전압 - 파괴 DO-214AC (SMA)
연속 - RoHS 상태 Tape & Reel (TR)
역 회복 시간 (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) 만약, F @ 저항 15pF @ 4V, 1MHz
편광 DO-214AC, SMA 다른 이름들 US1A-E3/5AT-ND
US1A-E3/5ATGITR
US1AE35AT
작동 온도 - 정션 50ns 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 27 Weeks
제조업체 부품 번호 US1A-E3/5AT 확장 설명 Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
다이오드 구성 10µA @ 50V 기술 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
전류 - 누설 Vr에서 역방향 1V @ 1A 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 50V
VR, F @ 용량 -55°C ~ 150°C

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