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S2AHE3_A/I

S2AHE3_A/I
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부품 번호 S2AHE3_A/I
제조사 Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 689815 pcs
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부품 번호 S2AHE3_A/I 제조사 Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 689815 pcs 데이터 시트 S2A,B,D,G,J,K,M Series
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 1.5A 전압 - 파괴 DO-214AA (SMB)
연속 - RoHS 상태 Tape & Reel (TR)
역 회복 시간 (trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 만약, F @ 저항 16pF @ 4V, 1MHz
편광 DO-214AA, SMB 작동 온도 - 정션 2µs
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 26 Weeks 제조업체 부품 번호 S2AHE3_A/I
확장 설명 Diode Standard 50V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB) 다이오드 구성 1µA @ 50V
기술 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA 전류 - 누설 Vr에서 역방향 1.15V @ 1.5A
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 50V VR, F @ 용량 -55°C ~ 150°C

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