1N6483-E3/96
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| 부품 번호 | 1N6483-E3/96 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 기술 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.035 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 1N6483-E3/96 | 제조사 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 666338 pcs | 데이터 시트 | Packaging Information1N6478 thru 1N6484 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1A | 전압 - 파괴 | DO-213AB |
| 연속 | SUPERECTIFIER® | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 역 회복 시간 (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | 8pF @ 4V, 1MHz |
| 편광 | DO-213AB, MELF (Glass) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 21 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | 1N6483-E3/96 | 확장 설명 | Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-213AB |
| 다이오드 구성 | 10µA @ 800V | 기술 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.1V @ 1A | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 800V |
| VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
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