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TPH3202PD

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부품 번호 TPH3202PD
제조사 Transphorm
기술 MOSFET N-CH 600V 9A TO220
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 12145 pcs
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부품 번호 TPH3202PD 제조사 Transphorm
기술 MOSFET N-CH 600V 9A TO220 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 12145 pcs 데이터 시트 TPH3202P
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±18V 과학 기술 GaNFET (Gallium Nitride)
제조업체 장치 패키지 TO-220 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 350 mOhm @ 5.5A, 8V 전력 소비 (최대) 65W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 480V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V
상세 설명 N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc)

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