TPCP8J01(TE85L,F,M
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| 부품 번호 | TPCP8J01(TE85L,F,M |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.119 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TPCP8J01(TE85L,F,M | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 201097 pcs | 데이터 시트 | TPCP8J01 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PS-8 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35 mOhm @ 3A, 10V | 전력 소비 (최대) | 2.14W (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead | 다른 이름들 | TPCP8J01(TE85LFM |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 34nC @ 10V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 32V | 상세 설명 | P-Channel 32V 5.5A (Ta) 2.14W (Ta) Surface Mount PS-8 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A (Ta) |
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