TK31V60W5,LVQ
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| 부품 번호 | TK31V60W5,LVQ |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.76 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TK31V60W5,LVQ | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 43317 pcs | 데이터 시트 | TK31V60W5 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 1.5mA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 4-DFN-EP (8x8) | 연속 | DTMOSIV |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 109 mOhm @ 15.4A, 10V | 전력 소비 (최대) | 240W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 4-VSFN Exposed Pad |
| 다른 이름들 | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
작동 온도 | 150°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3000pF @ 300V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
| 상세 설명 | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30.8A (Ta) |
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