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TK25N60X5,S1F

TK25N60X5,S1F
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부품 번호 TK25N60X5,S1F
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 600V 25A TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 43573 pcs
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부품 번호 TK25N60X5,S1F 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 600V 25A TO247 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 43573 pcs 데이터 시트 TK25N60X5
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 1.2mA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-247 연속 DTMOSIV-H
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 140 mOhm @ 7.5A, 10V 전력 소비 (최대) 180W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3
다른 이름들 TK25N60X5,S1F(S
TK25N60X5S1F
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2400pF @ 300V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Ta)

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