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TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ
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부품 번호 TK20V60W5,LVQ
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 62600 pcs
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부품 번호 TK20V60W5,LVQ 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 62600 pcs 데이터 시트 TK20V60W5
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 1mA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 4-DFN-EP (8x8) 연속 DTMOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 190 mOhm @ 10A, 10V 전력 소비 (최대) 156W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 4-VSFN Exposed Pad
다른 이름들 TK20V60W5LVQCT 작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1800pF @ 300V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta)

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