TK18E10K3,S1X(S
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| 부품 번호 | TK18E10K3,S1X(S |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.498 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TK18E10K3,S1X(S | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 75585 pcs | 데이터 시트 | Mosfets Prod Guide |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 연속 | U-MOSIV | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 42 mOhm @ 9A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | - | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | 다른 이름들 | TK18E10K3S1X(S TK18E10K3S1XS |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 33nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 상세 설명 | N-Channel 100V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta) |
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