TK12A60W,S4VX
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| 부품 번호 | TK12A60W,S4VX |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.343 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TK12A60W,S4VX | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 28420 pcs | 데이터 시트 | TK12A60W |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.7V @ 600µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220SIS | 연속 | DTMOSIV |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300 mOhm @ 5.8A, 10V | 전력 소비 (최대) | 35W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 다른 이름들 | TK12A60W,S4VX(M TK12A60WS4VX |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 890pF @ 300V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | Super Junction | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11.5A (Ta) |
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