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TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ
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부품 번호 TK10P60W,RVQ
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 68144 pcs
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부품 번호 TK10P60W,RVQ 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 68144 pcs 데이터 시트 TK10P60W
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.7V @ 500µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 DTMOSIV
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 430 mOhm @ 4.9A, 10V 전력 소비 (최대) 80W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 TK10P60W,RVQ(S
TK10P60WRVQ
TK10P60WRVQTR
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 300V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 Super Junction 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.7A (Ta)

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