SSM6N815R,LF
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| 부품 번호 | SSM6N815R,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.201 | $0.168 | $0.126 | $0.093 | $0.072 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM6N815R,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 315058 pcs | 데이터 시트 | SSM6N815R |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 100µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP-F | 연속 | U-MOSVIII-H |
| 전력 - 최대 | 1.8W (Ta) | 포장 | Original-Reel® |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads | 다른 이름들 | SSM6N815RLFDKR |
| 작동 온도 | 150°C | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
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